导致光阻层表面硬化T型缺陷

硼磷掺杂不受控

导致不能控制蚀刻速度，邻苯二甲酸二丁酯（DOP）易附着于晶片表面形成碳化硅SiC

引起阈值电压改变，硼元素、三氟化硼等气态污染物，会引起晶片表面污染

污染物气体如氟化氢、氯化氢、硫酸、磷酸、氯气、氮氧化合物等，引起晶片表面污染，导致金属化制成中的金属附着力下降

污染气体导致芯片内连接导线因腐蚀而报废

造成掩模及步进设备上光学镜面模糊

导致设施和设备因腐蚀而停机